Переважна більшість іноземної електронної компонентної бази, яка використовується Росією для виробництва ракет, вироблена у США – 81%. Про це йдеться у новому документі санкційної групи Єрмака-Макфола.
Друга найбільша частка після США – в електронних компонентів, вироблених у Швейцарії (8%). По 3,5% – у Німеччини та Японії.
За даними групи Єрмака-Макфола, у складі крилатих ракет повітряного базування Х-101 міститься щонайменше 53 типи ЕКБ (мікросхеми, чіпи тощо) виробництва іноземних компаній. Зокрема, компоненти таких компаній, як STMicroelectronics (Швейцарія), Vicor (США), XILINX (США), Intel Corporation (США), Texas Instruments (США), ZILOG (США), Maxim Integrated (США) та Cypress Semiconductor (США).
Для виробництва крилатих ракет морського базування 3М-14 “Калібр” використовується щонайменше 45 типів ЕКБ іноземного виробництва.
Балістичні ракети 9М723 та крилаті ракети 9М728/9М729 зі складу комплексу “Іскандер” оснащуються як мінімум 15 та 32 типами іноземної ЕКБ відповідно. А у складі аеробалістичних ракет Х-47М2 “Кинджал” використовується не менше ніж 48 іноземних компонентів.
У російській ракеті “Торнадо-С”, зокрема у головній частині, виявили чип, виготовлений всесвітньо відомою американською компанією Intel, повідомили у ГУР Міноборони.
